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型号 IPI100N10S3-05
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
IPI100N10S3-05 PDF
代理商 IPI100N10S3-05
标准包装 500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 5.1 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 240µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 176nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 11570pF @ 25V
功率 - 最大 300W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装 PG-TO262-3
包装 管件
产品目录页面 1617 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SP000407128
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